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本應用創新性的采用低場核磁技術，通過測量不同應變下材料的橫向弛豫特性、交聯密度和微觀結構，研究應變對HTPB涂層材料性能的影響。

CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學機械拋光。該技術是半導體晶圓制造的必備流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關重要。拋光液的主要成分是研磨顆粒，PH值調節劑，氧化劑，分散劑；低場核磁弛豫技術可以區分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子，從而推導出溶劑覆蓋在顆粒表面的比表面積，從而評價例如拋光液以及相關懸浮液樣品的分散性。

隨著電子產品迭代升級性能的需要以及納米技術在提高材料性能中的優異表現，在油墨中添加特殊材料例如聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、銅納米顆粒等、銦錫氧化物納米顆粒等，可以進一步提高基板的柔韌性和導電性能，這些材料在油墨中的分散性直接影響了產品的使用性能。低場核磁作為新晉的顆粒分散性評價手段，發展成熟，具有快速、在線、無損、綠色等優勢。

顆粒分散性是指粉體顆粒在液相介質中分離散開并在整個液相中均勻頒的過程，根據分散方法的不同，可分為以下幾種

低場核磁共振主要是指磁場強度比較低的核磁共振儀器。低場核磁共振技術應用領域非常廣泛，而且還處在不斷拓展之中

利用低場核磁共振來闡明濕多孔織物在模擬干燥過程中水分分布和狀態的變化。

小核磁（臺式核磁）可以提供全面的科研解決方案，適用對象涵蓋從橡膠等彈性體材料到生物領域的膜材料和納米材料等多種物質。